SI7113DN-T1-GE3 دیتاشیت

SI7113DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7113DN-T1-GE3
حجم فایل 82.097 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SI7113DN-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7113DN-T1-GE3
  • Operating Temperature: -50°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.7W;52W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1480pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 13.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 134mΩ@10V,4A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه