TPB120R800A دیتاشیت

TPB120R800A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPB120R800A
حجم فایل 74.461 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت TPB120R800A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPB120R800A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 151W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.573nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.3pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 620mΩ@10V,6A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه