SI1012X-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI1012X-T1-GE3
|
|
حجم فایل
|
88.097
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI1012X-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
250mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
0.75nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Continuous Drain Current (Id):
500mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
900mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
700mΩ@4.5V,600mA
-
Package:
SC-89
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
