دیتاشیت BC 850B E6327
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BC 850B E6327
|
| حجم فایل |
36.936
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
19
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies BC 850B E6327
-
Transistor Type:
NPN
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
330mW
-
Transition Frequency (fT):
250MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@2mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
15nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
600mV@5mA,100mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
