BC 850B E6327 دیتاشیت

BC 850B E6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC 850B E6327
حجم فایل 36.936 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت BC 850B E6327-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BC 850B E6327
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 330mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@5mA,100mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه