Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13 دیتاشیت

DMN30H14DLY-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN30H14DLY-13
حجم فایل 84.554 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DMN30H14DLY-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 300V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 96pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 210mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14Ω@10V,300mA
  • Package: SOT-89-3

محصولات مشابه