- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N03S2L-10 |
|---|---|
| حجم فایل | 57.259 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IPD30N03S2L-10 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD30N03S2L-10
- Power Dissipation (Pd): 100W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@50uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,30A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
