TPA65R1K5M دیتاشیت

TPA65R1K5M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPA65R1K5M
حجم فایل 93.398 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت TPA65R1K5M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPA65R1K5M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 225pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 0.4pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.3Ω@10V,1.5A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه