EMD4DXV6T5G دیتاشیت

NSVEMD4DXV6T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVEMD4DXV6T5G
حجم فایل 96.612 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NSVEMD4DXV6T5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi EMD4DXV6T5G
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-553
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه