Vishay Intertech SIS436DN-T1-GE3 دیتاشیت

SIS436DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIS436DN-T1-GE3
حجم فایل 90.604 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIS436DN-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIS436DN-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 3.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,10A
  • Package: PowerPAK1212-8

محصولات مشابه