DMN1019UVT-7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
DMN1019UVT-7
|
|
حجم فایل
|
94.4
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Diodes Incorporated DMN1019UVT-7
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.73W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
50.4nC@8V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
12V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2588pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
10.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
800mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
10mΩ@4.5V,9.7A
-
Package:
SOT-26
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
