IPD900P06NM دیتاشیت

IPD900P06NM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD900P06NM
حجم فایل 46.462 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPD900P06NM

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD900P06NM
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه