WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R580C دیتاشیت

TPD60R580C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPD60R580C
حجم فایل 93.962 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت TPD60R580C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R580C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 587pF
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.58Ω@10V,3A
  • Package: TO-252-2

محصولات مشابه