WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R580C دیتاشیت

TPD60R580C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPD60R580C
حجم فایل 93.962 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت TPD60R580C-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R580C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 587pF
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.58Ω@10V,3A
  • Package: TO-252-2

محصولات مشابه