MJD45H11AJ دیتاشیت

MJD45H11AJ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD45H11AJ
حجم فایل 52.707 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت MJD45H11AJ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia MJD45H11AJ
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 1.75W
  • Transition Frequency (fT): 80MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@2A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@8A,400mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه