IPG16N10S461ATMA1 دیتاشیت

IPG16N10S461ATMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPG16N10S461ATMA1
حجم فایل 62.324 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPG16N10S461ATMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 29W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 490pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@9uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 61mΩ@16A,10V
  • Package: TDSON-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه