G08N06S دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
G08N06S
|
|
حجم فایل
|
79.186
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
GOFORD G08N06S
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
2W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
22nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
979pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
26mΩ
-
Package:
SOP-8
-
Manufacturer:
GOFORD
