HY3708P دیتاشیت

HY3708P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3708P
حجم فایل 56.874 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت HY3708P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3708P
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 288W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 152nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.109nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 170A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 530pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,85A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه