SI1024X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1024X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1024X-T1-GE3
حجم فایل 81.106 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SI1024X-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1024X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.75nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 485mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 700mΩ@4.5V,600mA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه