NTD360N65S3H دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NTD360N65S3H
|
|
حجم فایل
|
50.018
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTD360N65S3H
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
83W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
17.5nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
916pF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
10A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@700uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
296mΩ@10V,5A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
onsemi
