IRF8010PBF دیتاشیت

IRF8010PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF8010PBF
حجم فایل 66.075 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRF8010PBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF8010PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 260W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 120nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3830pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,45A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه