دیتاشیت PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS4160DS,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

دانلود دیتاشیت PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS4160DS,115
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 420mW
  • Transition Frequency (fT): 220MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@500mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@1A,100mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Nexperia