- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IGT60R190D1S
IGT60R190D1S دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IGT60R190D1S |
|---|---|
| حجم فایل | 77.366 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 17 |
دانلود دیتاشیت IGT60R190D1S |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IGT60R190D1S
- Power Dissipation (Pd): 55.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 12.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@960uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
- Package: HSOF-8-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
