ASDM100R160NKQ-R دیتاشیت

ASDM100R160NKQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM100R160NKQ-R
حجم فایل 65.837 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM100R160NKQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM100R160NKQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 72W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1135pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 45A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 18pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه