- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD200N15N3 G
IPD200N15N3 G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD200N15N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 77.808 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 12 |
دانلود دیتاشیت IPD200N15N3 G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD200N15N3 G
- Power Dissipation (Pd): 150W
- Drain Source Voltage (Vdss): 150V
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,50A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
