PBSS5160U,115 دیتاشیت

PBSS5160U,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS5160U,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PBSS5160U,115-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS5160U,115
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 700mA
  • Power Dissipation (Pd): 415mW
  • Transition Frequency (fT): 220MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@500mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 120mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه