2SD1949T106R دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2SD1949T106R
|
|
حجم فایل
|
51.524
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
ROHM Semicon 2SD1949T106R
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
200mW
-
Transition Frequency (fT):
250MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
180@10mA,3V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
500nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
400mV@150mA,15mA
-
Package:
SOT-323(SC-70)
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
