QS5W2TR دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
QS5W2TR
|
|
حجم فایل
|
46.45
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
ROHM Semicon QS5W2TR
-
Transistor Type:
2PCSNPN共发射极
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
3A
-
Power Dissipation (Pd):
1.25W
-
Transition Frequency (fT):
320MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
180@50mA,3V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
130mV@1A,50mA
-
Package:
SOT-23-5
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
