PDTA114ET,215 دیتاشیت

PDTA114ET,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTA114ET,215
حجم فایل 57.688 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

دانلود دیتاشیت PDTA114ET,215

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTA114ET,215
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 30@5mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 150mV@500uA,10mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه