Infineon Technologies IPD650P06NM دیتاشیت

IPD650P06NM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD650P06NM
حجم فایل 46.468 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPD650P06NM

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD650P06NM
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 175W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-252-3

محصولات مشابه