IPAN60R210PFD7S دیتاشیت

IPAN60R210PFD7S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPAN60R210PFD7S
حجم فایل 83.983 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPAN60R210PFD7S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPAN60R210PFD7S
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@240uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 210mΩ@10V,4.9A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه