دیتاشیت SI3456DDV-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI3456DDV-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 76.875 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت SI3456DDV-T1-GE3 |
SI3456DDV-T1-GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI3456DDV-T1-GE3
- Power Dissipation (Pd): 2.7W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 6.3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,5A
- Package: SOT-23-6
- Manufacturer: Vishay Intertech
