IPP17N25S3-100 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB17N25S3-100
|
|
حجم فایل
|
65.7
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPP17N25S3-100
-
Power Dissipation (Pd):
107W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
250V
-
Continuous Drain Current (Id):
17A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@54uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
100mΩ@10V,17A
-
Package:
TO-220-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
