PBSS4350D,135 دیتاشیت

PBSS4350D,135

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS4350D,135
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت PBSS4350D,135

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS4350D,135
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@2A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 290mV@2A,200mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Nexperia