SVF4N65CAF دیتاشیت

SVF4N65CAF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N65CAF
حجم فایل 74.225 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SVF4N65CAF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 430pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.1pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه