دیتاشیت MMBT5551G-B-AE3-R
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MMBT5551G-B-AE3-R |
|---|---|
| حجم فایل | 48.456 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 4 |
دانلود دیتاشیت MMBT5551G-B-AE3-R |
MMBT5551G-B-AE3-R Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: UTC(Unisonic Tech) MMBT5551G-B-AE3-R
- Transistor Type: NPN
- Operating Temperature: +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 600mA
- Power Dissipation (Pd): 350mW
- Transition Frequency (fT): 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
- Package: SOT-23
- Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)
