دیتاشیت SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4190ADY-T1-GE3
حجم فایل 88.476 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4190ADY-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W;6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 67nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1970pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 18.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.8mΩ@10V,15A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه