TPB70R600M دیتاشیت

TPB70R600M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPB70R600M
حجم فایل 88.138 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

دانلود دیتاشیت TPB70R600M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPB70R600M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 700V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 509pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.5pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 530mΩ@10V,3.5A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه