DMT6009LSS-13 دیتاشیت

DMT6009LSS-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMT6009LSS-13
حجم فایل 83.564 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DMT6009LSS-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMT6009LSS-13
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 33.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1925pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 10.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,13.5A
  • Package: SO-8
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه