SMMBT3906LT3G دیتاشیت

SMMBT3906LT3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SMMBT3906LT3G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SMMBT3906LT3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SMMBT3906LT3G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه