RTQ020N03TR دیتاشیت

ROHM RTQ020N03TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ROHM RTQ020N03TR
حجم فایل 69.883 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت ROHM RTQ020N03TR-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RTQ020N03TR
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 135pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@4.5V,2A
  • Package: TSMT-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه