- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HXY50P02DF
HXY50P02DF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HXY50P02DF |
|---|---|
| حجم فایل | 67.743 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت HXY50P02DF |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HXY MOSFET HXY50P02DF
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1400pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@4.5V,10A
- Package: DFN-8L(3x3)
- Manufacturer: HXY MOSFET