SIUD403ED-T1-GE3 دیتاشیت

SIUD403ED-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIUD403ED-T1-GE3
حجم فایل 102.443 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SIUD403ED-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIUD403ED-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 500mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.25Ω@10V,3A
  • Package: PowerPAK(0.8x0.6)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه