HYG065N15NS1B دیتاشیت

HYG065N15NS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG065N15NS1B
حجم فایل 65.231 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG065N15NS1B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG065N15NS1B
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 96nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.646nF@75V
  • Continuous Drain Current (Id): 165A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 88pF@75V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه