IRF6614TRPBF دیتاشیت

IRF6614TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF6614TRPBF
حجم فایل 114.378 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRF6614TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF6614TRPBF
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W;42W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2560pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 12.7A;55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.25V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.3mΩ@10V,12.7A
  • Package: DirectFET
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه