دیتاشیت BSB028N06NN3 G

BSB028N06NN3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSB028N06NN3 G
حجم فایل 67.386 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت BSB028N06NN3 G

BSB028N06NN3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSB028N06NN3 G
  • Power Dissipation (Pd): 2.2W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 22A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@102uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,30A
  • Package: MG-WDSON-2
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه