HYG170ND03LA1C1 دیتاشیت

HYG170ND03LA1C1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG170ND03LA1C1
حجم فایل 67.844 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG170ND03LA1C1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG170ND03LA1C1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 17.8W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 354pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15.6mΩ@10V,6A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه