F10N65 دیتاشیت

F10N65

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت F10N65
حجم فایل 87.466 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت F10N65

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shandong Jingdao Microelectronics F10N65
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 38W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.53nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Shandong Jingdao Microelectronics

محصولات مشابه