- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY1906B
HY1906B دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY1906B |
|---|---|
| حجم فایل | 50.854 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت HY1906B |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY1906B
- Power Dissipation (Pd): 188W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,60A
- Package: TO-263
- Manufacturer: HUAYI
