IMZ1AFRAT108 دیتاشیت

IMZ1AFRAT108

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMZ1AFRAT108
حجم فایل 59.375 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IMZ1AFRAT108

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon IMZ1AFRAT108
  • Transistor Type: 1PCSNPN&1PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz;140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA;500mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه