HXY80N06D دیتاشیت

HXY80N06D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY80N06D
حجم فایل 62.019 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY80N06D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY80N06D
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2680pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@10V,45A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه