DPBT8105-7 دیتاشیت

DPBT8105-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DPBT8105-7
حجم فایل 67.485 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت DPBT8105-7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated DPBT8105-7
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 600mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@500mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@1A,100mA
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه